225M〜2.6GHzと広帯域なRFパワーアンプ、MACOMがGaN-on-Si技術で実現

225M〜2.6GHzと広帯域なRFパワーアンプ、MACOMがGaN-on-Si技術で実現:

米MACOM Technology Solutions社は、周波数帯域が225M〜2.6GHzと広いRFパワーアンプモジュール「MAMG-100227-010」を発売した。Si（シリコン）基板の上にGaN（窒化ガリウム）素子を形成する「GaN-on-Si技術」の採用で広い周波数帯域を実現したという。最大RF出力は、連続時に10Wが得られる。陸上移動無線機（LMR：Land Mobile Radio）や、公共安全無線通信機、防衛用電子機器、電子対抗手段（Electronic Countermeasure）などの用途に向ける。