ファスト・リカバリー・ダイオード内蔵の600V耐圧SJ型パワーMOSFET、STマイクロが発売

ファスト・リカバリー・ダイオード内蔵の600V耐圧SJ型パワーMOSFET、STマイクロが発売:

伊仏合弁STMicroelectronics（STマイクロ）社は、ファスト・リカバリー・ボディー・ダイオードを内蔵した＋600V耐圧のスーパージャンクション（SJ）型パワーMOSFET「MDmesh DM6 600V MOSFET」を発売した。ファスト・リカバリー・ボディー・ダイオードの内蔵に加えて、同社独自の「キャリアー・ライフ・タイム制御技術」も搭載しているため、逆回復時間（trr）を最小限に抑えられるという。従って、フリーホイール後のターンオフ時に、ダイオードでの消費電力を低減できるとしている。